技術(shù)編號(hào)：40512397
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種單晶硅的培育方法、硅晶圓的制造方法及單晶提拉裝置。背景技術(shù)、作為單晶硅的培育方法，已知有切克勞斯基法。近年來，一邊對(duì)硅熔融液施加水平磁場(chǎng)，一邊培育單晶硅的所謂mcz法已被廣泛使用。當(dāng)使用mcz法對(duì)硅熔融液施加了水平磁場(chǎng)時(shí)，初期形成如圖a所示的在坩堝內(nèi)順時(shí)針的對(duì)流c成為主導(dǎo)的情況(以下，稱為右渦旋模式。)及如圖b所示的在坩堝內(nèi)逆時(shí)針的對(duì)流c成為主導(dǎo)的情況(以下，稱為左渦旋模式。)中的任一對(duì)流模式。在圖a及圖b中，附圖標(biāo)記md為水平磁場(chǎng)的磁場(chǎng)中心的施加方向。、對(duì)流模...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。