技術(shù)編號：40514489
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及太陽能電池，特別是涉及一種光伏電池背面的處理方法、topcon電池及制備方法、光伏組件。背景技術(shù)、隧穿氧化層鈍化接觸(tunnel?oxide?passivated?contact，簡稱topcon)是一種基于選擇性載流子鈍化原理來減少表面復(fù)合和改善金屬接觸的技術(shù)。目前，現(xiàn)有的topcon電池，如cna所示，通常是在晶硅基底背面的拋光面(通常采用堿拋處理來獲得拋光面)上依次整面沉積超薄隧穿氧化層(其厚度通常為～nm)及摻雜多晶硅層(如磷摻雜多晶硅層)。研究發(fā)現(xiàn)，...
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