技術(shù)編號：40518282
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導體芯片，特別涉及一種帶有電感組件的半導體模塊。背景技術(shù)、半導體芯片是現(xiàn)代電子設(shè)備中不可或缺的關(guān)鍵組件，它利用半導體材料的特性來實現(xiàn)各種復雜的電路功能，常見的半導體材料包括硅、鍺和砷化鎵，其中硅因為其良好的物理和化學特性，在商業(yè)應用中最為廣泛，半導體芯片的制造過程非常復雜，涉及光刻、刻蝕、薄膜沉積、摻雜等多個步驟，這些工藝需要在極高的精度下進行，以確保芯片的性能和可靠性，例如，現(xiàn)代芯片制造過程中常使用柴可拉斯基法來生長高純度的單晶半導體材料。、專利號cn....
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。