技術(shù)編號(hào)：40518712
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件，具體涉及al(in,ga)n/gan異質(zhì)結(jié)構(gòu)高電子遷移率晶體管制備。背景技術(shù)、gan基高電子遷移率晶體管(hemt)具有輸出功率密度大、高頻高壓、耐高溫、抗輻射等優(yōu)異特性，在gan基電力電子器件與微波器件等應(yīng)用領(lǐng)域具備很大應(yīng)用潛力。增強(qiáng)型是功率電子器件安全工作的關(guān)鍵要求，即在高壓工作時(shí)，器件即使失去柵控的狀態(tài)下也是安全的，不會(huì)導(dǎo)致系統(tǒng)的燒毀。這就要求功率電子器件必須是增強(qiáng)型的(enhancement-mode，也稱normally-off)，從安全性角度考慮，器件設(shè)計(jì)柵極...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。