技術編號：40521271
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本技術特別涉及一種復合襯底及高亮度led外延片，屬于光電子器件。背景技術、gan基發(fā)光二極管led具有壽命長、能耗低、體積小、可靠性高等優(yōu)點，成為目前最有前景的照明光源，是先導照明技術的一個重要趨勢；但依然存在發(fā)光強度和效率低的問題，進一步提高led的發(fā)光強度和光效是led照明技術發(fā)展的目標。、目前gan基半導體材料mocvd外延都是異質襯底上生長的外延技術，由于襯底與外延層間的晶格與熱膨脹失配導致外延生長的晶體材料位錯密度較高及應力較大，這些位錯在器件工作時表現(xiàn)為非輻射復合中心而影響器件效...
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