技術編號:40528538
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術詳細信息。本公開實施例涉及半導體,尤其涉及一種半導體器件及其制造方法。背景技術、動態(tài)隨機存取存儲器(dynamic?random?access?memory,dram)的存儲單元包括一個晶體管和一個電容(transistor?capacitor,tc),晶體管的柵極和字線連接,晶體管的源極和位線連接,晶體管的漏極和電容連接。、目前,如何對dram進行改進以提升其性能仍存在挑戰(zhàn)。技術實現(xiàn)思路、有鑒于此,本公開實施例提供一種半導體器件及其制造方法。、為達到上述目的,本公開的技術方案是這樣實現(xiàn)的...
注意:該技術已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權人授權前,僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權,增加技術思路,做技術知識儲備,不適合論文引用。
該類技術注重原理思路,無完整電路圖,適合研究學習。