技術編號:40529410
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術詳細信息。本申請涉及氮化鋁粉體,尤其涉及一種氮化鋁粉體及其制備方法。背景技術、aln(氮化鋁)是ⅲ-ⅴ族半導體化合物,晶體是以[aln]四面體為結構單位的共價鍵化合物,屬六方晶系。與傳統(tǒng)陶瓷材料相比,aln材料具有許多更優(yōu)異的性能,熱導率高(約是alo材料的倍)、電絕緣性好、熱膨脹系數小,與單晶硅相近,機械強度高、熱穩(wěn)定性好、無毒等優(yōu)點,從而在電子、電力、信息、交通、航空航天、軍工等諸多領域有良好的應用前景。在大功率集成電路、半導體模塊電路中替代劇毒的氧化鈹作基板和封裝材料;在電力模塊電路、可...
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