技術(shù)編號(hào):40529484
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體器件的制造技術(shù),具體涉及一種存儲(chǔ)器及其制備方法。背景技術(shù)、可變電阻式存儲(chǔ)器(resistive?random?access?memory,rram)是一種新型的非易失性存儲(chǔ)器,通過(guò)對(duì)可變電阻式存儲(chǔ)器中的金屬氧化物薄膜施加脈沖電壓,進(jìn)而產(chǎn)生大的電阻差值來(lái)存儲(chǔ)數(shù)字信號(hào)“”和數(shù)字信號(hào)“”以存儲(chǔ)數(shù)據(jù),可變電阻式存儲(chǔ)器具有消耗電力低、重寫(xiě)速度高以及結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)。通常為金屬-絕緣體-金屬結(jié)構(gòu)組成的三明治結(jié)構(gòu)。、與閃存不同,rram并不依靠電荷來(lái)儲(chǔ)存信息,因而不存在隧穿層過(guò)薄而泄露電...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。
該類(lèi)技術(shù)注重原理思路,無(wú)完整電路圖,適合研究學(xué)習(xí)。