技術(shù)編號：40530665
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，特別是涉及一種電阻切換元件及其制作方法。背景技術(shù)、電阻式隨機(jī)存取存儲器(rram)是一種存儲器結(jié)構(gòu)，包括rram單元陣列，每個rram單元利用電阻值而不是電荷來存儲位數(shù)據(jù)。特別地，每個rram單元包括電阻切換材料層，其電阻可以被調(diào)節(jié)以表示邏輯“”或邏輯“”。、在先進(jìn)的技術(shù)節(jié)點(diǎn)中，特征尺寸按比例縮小，存儲器元件的尺寸也相應(yīng)微縮。然而，由于“形成”操作，rram元件的微縮受到限制。在“形成”過程中，是將高壓施加到rram元件以在電阻切換材料層中生成導(dǎo)電路徑。技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路、...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路，無完整電路圖，適合研究學(xué)習(xí)。