技術(shù)編號：40531371
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及超晶格納米線制備，具體涉及一種一維scga(zno)n超晶格納米線及其制備方法。背景技術(shù)、zno作為寬帶隙半導(dǎo)體材料，其顯著特點(diǎn)包括卓越的導(dǎo)熱性能、低介電常數(shù)、高擊穿電場以及高電子飽和率，與業(yè)界廣泛使用的si、gaas、sic和gan材料相比，zno展現(xiàn)出了更為出色的耐輻射性能，這一特性不僅使其能在高溫環(huán)境中穩(wěn)定工作，而且極大地增加了其在開發(fā)高頻大功率、耐高溫以及耐輻射半導(dǎo)體器件方面的潛力，因此，zno無疑是一種具有廣泛前景的半導(dǎo)體材料。、在年，美國ibm實(shí)驗(yàn)室的杰出科學(xué)...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。