技術(shù)編號：40531493
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于半導(dǎo)體封裝，具體涉及一種晶圓級封裝結(jié)構(gòu)及晶圓級芯片制作方法。背景技術(shù)、mems(微機(jī)械)器件由于結(jié)構(gòu)脆弱，一般都需要進(jìn)行氣密性封裝，以確保mems結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，功能可靠。對于特殊的器件，如mems紅外器件、mems加速度計、mems陀螺儀等，需要通入保護(hù)氣體封裝，甚至真空封裝。、mems紅外器件晶圓級封裝由上層窗片層和底層芯片鍵合組成，如圖所示，傳統(tǒng)這種晶圓級封裝結(jié)構(gòu)存在如下問題：()鍵合后的芯片由于受mems加工技術(shù)的限制導(dǎo)致不良率較高，在最終探測器使用時易出現(xiàn)圖像異常問題；(...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。