技術(shù)編號：40532741
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本申請涉及存儲，尤其涉及一種存儲器以及設(shè)備。背景技術(shù)、目前，主流的內(nèi)存是將設(shè)置有存儲介質(zhì)的晶圓上的單個或多個晶粒(die)切割下來，再與輸入輸出(input?output，i/o)電路通過互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(complementarymetal-oxide-semiconductor，cmos)在陣列下方(cmos?under?array，cua)架構(gòu)封裝起來形成的。這種封裝方式中，晶粒與i/o電路可以采用上下堆疊或者并排設(shè)置。無論上下堆疊或者并排設(shè)置，晶粒中bank的數(shù)量與i/o電路的大小...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。
請注意，此類技術(shù)沒有源代碼，用于學(xué)習(xí)研究技術(shù)思路。