技術(shù)編號：40534158
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及集成電路制造設(shè)備，特別是涉及一種磁控濺射鍍膜設(shè)備。背景技術(shù)、在目前高深寬比結(jié)構(gòu)的硅微納米孔（tsv）工藝中，用等離子濺射（pvd）鍍金屬阻擋層和銅金屬種子層的工藝存在一些技術(shù)難點(diǎn)，其中之一是對微孔的側(cè)壁膜厚缺乏有效的控制，導(dǎo)致側(cè)壁的膜厚偏薄。、磁控濺射鍍膜是將涂層材料作為靶陰極，利用氬離子轟擊靶材，產(chǎn)生陰極濺射，將靶材原子濺射到晶圓上形成沉積層的一種鍍膜技術(shù)。在高真空環(huán)境中充入適量的氬氣，在陰極（柱狀靶或平面靶）和陽極（鍍膜室壁）之間施加直流電壓，產(chǎn)生磁控輝光放電，使氬氣發(fā)生電離，...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲(chǔ)備，不適合論文引用。