技術(shù)編號：40534312
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于半導(dǎo)體硅外延片制備領(lǐng)域，具體涉及一種功率器件用超重?fù)搅滓r底多層硅外延片及其制備方法。背景技術(shù)、功率器件mos、sbd、frd等在技術(shù)領(lǐng)域以高擊穿電壓和低導(dǎo)通電阻為發(fā)展方向。由于功率器件的擊穿電壓與導(dǎo)通壓降這兩項(xiàng)代表參數(shù)存在相互制約的特征，即如果擊穿電壓提高，則導(dǎo)通壓降亦隨之變大，反之亦然。傳統(tǒng)的平面式器件結(jié)構(gòu)基于單層硅外延片，由重?fù)诫s硅襯底片與高阻硅外延層兩部分組成。近年來隨著技術(shù)領(lǐng)域的持續(xù)進(jìn)步，為保證功率器件低導(dǎo)通電阻的要求，超重?fù)焦枰r底片首先開始逐漸取代重?fù)诫s硅襯底片成為功率器件...
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