技術(shù)編號：40536277
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于dip類型封裝器件測試，具體涉及一種自識別切換的dip類型封裝器件測試裝置。背景技術(shù)、電性能測試是檢測電子元器件性能的關(guān)鍵步驟，通過測試一些特定的參數(shù)指標(biāo)來檢測元器件的性能，從而評估電氣設(shè)備和電子產(chǎn)品的性能。電性能測試是保證電氣設(shè)備和電子產(chǎn)品可靠性和穩(wěn)定性的重要手段。類如為了確保mosfet的正常運(yùn)行并符合規(guī)格要求，一個(gè)有效的方法是通過追蹤其i-v曲線來確定其特性。通過設(shè)置源表vstart初始電壓，vstep步進(jìn)電壓進(jìn)行階梯式電壓輸入，并連接被測器件的柵極g或漏極d，測量其漏電流電參...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。