技術(shù)編號(hào):40539646
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,特別是涉及一種集成縱向器件的soi半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),還涉及一種集成縱向器件的soi半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法。背景技術(shù)、bcd(bipolar-cmos-dmos)技術(shù)是一種單片集成工藝技術(shù),能夠在同一芯片上制作bipolar(雙極晶體管)、cmos(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管)和dmos器件(雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管)。通過(guò)該工藝制備的器件綜合了雙極器件高跨導(dǎo)、強(qiáng)負(fù)載驅(qū)動(dòng)能力和cmos集成度高、低功耗的優(yōu)點(diǎn);同時(shí)dmos可以承載更大的電壓,并且在開關(guān)模式下工作功耗極低,不需...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。