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一種集成縱向器件的SOI半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號(hào):40539646

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本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,特別是涉及一種集成縱向器件的soi半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),還涉及一種集成縱向器件的soi半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法。背景技術(shù)、bcd(bipolar-cmos-dmos)技術(shù)是一種單片集成工藝技術(shù),能夠在同一芯片上制作bipolar(雙極晶體管)、cmos(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管)和dmos器件(雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管)。通過(guò)該工藝制備的器件綜合了雙極器件高跨導(dǎo)、強(qiáng)負(fù)載驅(qū)動(dòng)能力和cmos集成度高、低功耗的優(yōu)點(diǎn);同時(shí)dmos可以承載更大的電壓,并且在開關(guān)模式下工作功耗極低,不需...
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