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一種功率MOSFET器件的制作方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號(hào):40542608

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本技術(shù)屬于半導(dǎo)體,本技術(shù)具體公開(kāi)了一種功率mosfet器件。背景技術(shù)、功率?mosfet?最常用于開(kāi)關(guān)模式應(yīng)用中,它們起到開(kāi)關(guān)的作用。然而,在電子負(fù)載、線性穩(wěn)壓器或?a?類放大器等應(yīng)用中,功率?mosfet必須在其線性區(qū)域工作。在這種工作模式下,mosfet?會(huì)承載較高的熱應(yīng)力。由于較高的漏源極電壓和漏極電流同時(shí)出現(xiàn),導(dǎo)致芯片承載較高的熱應(yīng)力。?當(dāng)熱電應(yīng)力超過(guò)臨界極限時(shí),硅中會(huì)出現(xiàn)熱點(diǎn),導(dǎo)致器件失效。為防止此類失效,工作在線性區(qū)域的?mosfet?需要高功率耗散能力和擴(kuò)展的正向偏置安全工作區(qū)?...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。

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