技術(shù)編號(hào):40543179
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及電池鍍膜,具體為一種topcon電池雙面鍍膜設(shè)備。背景技術(shù)、topcon,隧穿氧化鈍化接觸技術(shù)是在電池表面生成一層超薄的可隧穿的氧化層和一層高摻雜的多晶硅層,氧化層的鈍化作用和高摻雜多晶硅層的場鈍化作用可以極大地降低少子復(fù)合速率,同時(shí)高摻雜的多晶硅層對(duì)于多子來說具有良好的傳導(dǎo)性,因而topcon電池具有高的開路電壓和填充因子。、現(xiàn)有技術(shù)中,專利公告號(hào)cnu公開了一種topcon電池雙面鍍膜設(shè)備,包括工作臺(tái),所述工作臺(tái)的一側(cè)設(shè)置有第二驅(qū)動(dòng)電機(jī),所述第二驅(qū)動(dòng)電機(jī)的輸出...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。