技術編號：40543327
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本申請涉及半導體制備，尤其涉及一種生長氧化鎵晶體的生長裝置。背景技術、β相氧化鎵單晶是一種透明導電氧化物，擁有.ev的禁帶寬度，穿電場強度高達mv/cm，具有較高的耐壓性能，非常適用于光電器件和高耐壓器件中。氧化鎵單晶的熔點較高(約為℃)，在高溫生長過程中極易分解揮發(fā)，導致氧化鎵單晶在生長過程中不穩(wěn)定，溫場較難控制，導致軸向溫梯較大，生長出的晶體容易開裂。技術實現(xiàn)思路、本申請?zhí)峁┝艘环N生長氧化鎵晶體的生長裝置，以解決現(xiàn)有技術中生長的氧化鎵晶體易開裂的問題。、第一方面，本申請?zhí)?..
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。