技術(shù)編號：40545606
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本公開涉及半導(dǎo)體裝置。背景技術(shù)、已知在具有指狀的源電極、柵電極以及漏電極的場效應(yīng)晶體管(fet：fieldeffect?transistor)中，在電極的延伸方向上配置多個具有源電極、柵電極以及漏電極的單位fet(例如專利文獻)。、現(xiàn)有技術(shù)文獻、專利文獻、專利文獻：日本特開－號公報、在專利文獻中，通過在電極的延伸方向上配置多個單位fet，能縮短單位fet中的柵電極的寬度。由此，能抑制柵極電阻。但是，將柵極焊盤與遠(yuǎn)離柵極焊盤的柵電極電連接的柵極布線與漏電極之間的...
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