技術(shù)編號：40545627
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本公開涉及用于形成半導體膜的過程，尤其涉及在有效使用抑制劑的同時用半導體膜填充間隙的方法。背景技術(shù)、傳統(tǒng)的pecvd(等離子體增強化學氣相沉積)方法已經(jīng)用于填充半導體器件中的間隙結(jié)構(gòu)，例如sti(淺溝槽隔離)。隨著器件尺寸的縮小，電路的線寬變得更窄。然而，pecvd方法主要在間隙的頂部形成膜，并阻礙填充間隙的下部。因此，在間隙中產(chǎn)生空隙，如圖所示。在圖中，可以通過pecvd方法用膜填充形成在襯底上的間隙，在間隙中產(chǎn)生空隙。、另一方面，可以采用peald(等離子體增強原子層沉積)方...
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