技術(shù)編號(hào)：40549871
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本公開涉及半導(dǎo)體處理。更具體地，本公開涉及通過原子層沉積(ald)在襯底上形成層的方法，并且涉及包括用于形成層的ald設(shè)備的襯底處理系統(tǒng)。背景技術(shù)、用于在襯底上形成層的材料沉積仍是半導(dǎo)體器件制造中的重要過程步驟之一。特別地，原子層沉積提供了形成保形層的優(yōu)勢(shì)，該保形層還可以允許層厚度的受控調(diào)節(jié)。、與ald相關(guān)的挑戰(zhàn)之一可能與每循環(huán)的生長(zhǎng)有關(guān)，因?yàn)檫@也可能對(duì)沉積過程的產(chǎn)量有影響。這可能會(huì)對(duì)制造的循環(huán)時(shí)間以及運(yùn)營(yíng)成本產(chǎn)生負(fù)面影響。、此外，使用為批量處理定制的設(shè)備，由此可以一次處理多個(gè)襯底，與al...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。