技術(shù)編號：40555379
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，尤其涉及到一種準垂直型p-fet器件、集成反相器及其制備方法。背景技術(shù)、目前，gan單片集成已正逐步成為基于氮化鎵器件功率模塊設(shè)計的主要發(fā)展趨勢，但由于缺乏成熟的gan?p-fet器件，在gan功率器件等電路驅(qū)動設(shè)計中，都較為普遍的采用n型e/d-mod級聯(lián)的耗盡型負載反相器構(gòu)成直接耦合fet邏輯(dcfl)。但是，n型器件在電路工作時會產(chǎn)生較高的靜態(tài)漏電流，導(dǎo)致反相器靜態(tài)功耗較高的問題。因此，如何實現(xiàn)高性能且能夠與當前主流商用的p-gan柵gan?n-hemts的單片集成的...
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