技術(shù)編號(hào)：40555768
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及電磁特性計(jì)算，特別涉及一種等離子體包覆目標(biāo)電磁特性的計(jì)算方法及裝置。背景技術(shù)、飛行器以極高速度在大氣層內(nèi)運(yùn)動(dòng)時(shí)，會(huì)與大氣發(fā)生劇烈摩擦，產(chǎn)生包覆在目標(biāo)周圍的等離子體繞流場(chǎng)，等離子體繞流場(chǎng)會(huì)對(duì)入射其中的雷達(dá)波產(chǎn)生幅度、頻率和相位調(diào)制效應(yīng)，進(jìn)一步導(dǎo)致雷達(dá)成像散焦、多普勒測(cè)量失準(zhǔn)，影響雷達(dá)對(duì)目標(biāo)的探測(cè)、跟蹤和識(shí)別能力。因此，為了穩(wěn)定跟蹤和識(shí)別高速運(yùn)動(dòng)飛行器，需要準(zhǔn)確計(jì)算等離子體包覆目標(biāo)的電磁特性。、等離子體包覆目標(biāo)的電磁散射建模方法復(fù)雜度遠(yuǎn)高于理想導(dǎo)體目標(biāo)，電磁波照射等離子體繞流場(chǎng)時(shí)會(huì)穿入...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。
請(qǐng)注意，此類技術(shù)沒(méi)有源代碼，用于學(xué)習(xí)研究技術(shù)思路。