技術(shù)編號:40557777
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及晶體材料,具體公開了一種p型氧化鎵材料及其制備方法和應(yīng)用。背景技術(shù)、氧化鎵單晶具有多種物相,其中β相是最穩(wěn)定相,其熔點(diǎn)約為℃,這就意味著β-gao單晶材料可以采用熔體法進(jìn)行生長,與其他的超寬禁帶半導(dǎo)體材料相比,β-gao單晶具有尺寸大、成本低、質(zhì)量高等優(yōu)勢。β-gao單晶禁帶寬度為.ev,理論擊穿場強(qiáng)高達(dá)mv/cm,巴利加優(yōu)值是sic和gan的十倍以上,因此,氧化鎵基功率器件理論上可以具有更高的擊穿電壓、更低的導(dǎo)通電阻,在軌道交通、高壓輸電、新能源汽車、航空...
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