技術(shù)編號(hào):40558194
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體處理設(shè)備及其具有聚焦環(huán)厚度檢測(cè)裝置的傳輸腔。背景技術(shù)、一套半導(dǎo)體處理設(shè)備中通常設(shè)置多個(gè)處理腔,多個(gè)處理腔內(nèi)同時(shí)進(jìn)行半導(dǎo)體處理制程,以提高效率和產(chǎn)量。在進(jìn)行刻蝕制程時(shí),待刻蝕的基片放置在處理腔內(nèi)的基座上的靜電吸盤上,處理腔中產(chǎn)生等離子體對(duì)基片進(jìn)行刻蝕,環(huán)繞靜電吸盤設(shè)置有聚焦環(huán),以調(diào)節(jié)基片周圍的電場(chǎng)和溫度分布。聚焦環(huán)長(zhǎng)期暴露在等離子環(huán)境中,上表面易被腐蝕消耗,在消耗達(dá)到一定程度時(shí)聚焦環(huán)的厚度會(huì)下降,需要被及時(shí)替換。通常在每個(gè)處理腔內(nèi)都設(shè)置至少一套檢測(cè)裝置,以實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)聚焦環(huán)的厚度...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
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