技術(shù)編號(hào)：40558727
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置。背景技術(shù)、以往，提出有將絕緣柵型雙極晶體管(igbt：insulated?gate?bipolartransistor)和回流用二極管形成于一個(gè)半導(dǎo)體襯底的半導(dǎo)體裝置即反向?qū)╥gbt(rc-igbt：reverse?conducting?igbt)。此外，還公開有在半導(dǎo)體裝置的外周區(qū)域設(shè)置被稱為表面降場(chǎng)(resurf)區(qū)域的用于改善耐壓的區(qū)域的例子。、專利文獻(xiàn)：日本特開-號(hào)公報(bào)、專利文獻(xiàn)：日本特開-號(hào)公報(bào)、專利文獻(xiàn)：日本特...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。