技術(shù)編號：40558812
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本技術(shù)涉及一種分離平面柵低阻碳化硅vdmos。背景技術(shù)、sic?vdmos作為sic功率器件中的代表性器件，在電動汽車、航空航天、電力轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用。器件的柵極電荷大小直接影響器件的開關(guān)速度和開關(guān)損耗，降低柵極電荷對于提高器件工作頻率進(jìn)而提高電源系統(tǒng)的功率密度有很重要的意義。對于推進(jìn)雙碳目標(biāo)實現(xiàn)有良好的效果。技術(shù)實現(xiàn)思路、本實用新型要解決的技術(shù)問題，在于提供一種分離平面柵低阻碳化硅vdmos，降低了柵極控制反型區(qū)面積，進(jìn)而降低了柵極電荷，降低了器件的驅(qū)動損耗。、本實用新型是這樣實現(xiàn)...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。