技術(shù)編號：40564548
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及微波等離子體加工設(shè)備領(lǐng)域，具體是一種微波等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備。背景技術(shù)、微波等離子體cvd裝置是利用微波能實現(xiàn)化學(xué)氣相沉積的一種工藝裝置，具有產(chǎn)量大、質(zhì)量高以及成本低的優(yōu)點；其原理是，微波在等離子體腔內(nèi)形成共振，形成強(qiáng)的電磁場中心區(qū)域，使氣體電離形成等離子體，然后在沉積基片表面上形成固態(tài)物質(zhì)沉積；、微波等離子體cvd(mpcvd)是生長高質(zhì)量單晶金剛石(scd)和聚晶金剛石(pcd)的方法之一。為了降低雜質(zhì)并改善合成金剛石的結(jié)晶質(zhì)量，重要的是在維持生長條件的同時，盡可能的延長連...
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