技術(shù)編號：40566218
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本公開涉及半導(dǎo)體，尤其涉及一種內(nèi)部錯(cuò)誤檢查電路和存儲器。背景技術(shù)、隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，人們在制造和使用計(jì)算機(jī)等設(shè)備時(shí)，對數(shù)據(jù)的傳輸速度提出了越來越高的要求。為了獲得更快的數(shù)據(jù)傳輸速度，應(yīng)運(yùn)而生了一系列數(shù)據(jù)可以雙倍速率（double?data?rate，ddr）傳輸?shù)膭?dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲器件dram。、然而，隨著存儲器的傳輸速度越來越快、存儲單元工藝尺寸縮小以及行錘擊（rowhammer）等原因，dram存儲器中存在的電荷泄漏等問題越來越嚴(yán)重，這可能增加存儲系統(tǒng)數(shù)據(jù)的不穩(wěn)定性和潛在的錯(cuò)誤率。...
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