技術(shù)編號(hào)：40566681
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本公開涉及一種半導(dǎo)體器件以及涉及一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法。背景技術(shù)、需要一種改進(jìn)的半導(dǎo)體器件，例如需要一種能夠在關(guān)斷瞬態(tài)期間將電荷載流子(如，空穴)從半導(dǎo)體主體中有效地去除而不損害導(dǎo)通狀態(tài)損耗的半導(dǎo)體器件。此外，還需要一種用于制造這種半導(dǎo)體器件的改進(jìn)的方法。技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路、本公開的實(shí)施例涉及一種改進(jìn)的半導(dǎo)體器件和用于制造半導(dǎo)體器件的改進(jìn)的方法。、首先，指定半導(dǎo)體器件。、根據(jù)實(shí)施例，半導(dǎo)體器件包括具有頂側(cè)的半導(dǎo)體主體、在頂側(cè)上的主電極、以及柵電極。半導(dǎo)體主體包括第一導(dǎo)電類型的漂移層。半導(dǎo)...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。