技術(shù)編號：40566989
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，尤其涉及一種外延結(jié)構(gòu)及其制備方法。背景技術(shù)、外延結(jié)構(gòu)，例如氮化鎵基光電器件與功率器件，在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域有著重要的應(yīng)用。目前制造氮化鎵基光電器件與功率器件主要采用藍(lán)寶石襯底。、然而，隨著集成度以及功率的提升，藍(lán)寶石襯底導(dǎo)熱性較差的缺點越發(fā)明顯，大大制約了外延結(jié)構(gòu)的進(jìn)一步應(yīng)用。為了解決這一問題可使用激光剝離技術(shù)將襯底剝離。但采用激光剝離技術(shù)，在剝離過程中產(chǎn)生的高溫對氮化鎵造成損傷，使得氮化鎵缺陷密度增加，反向漏電增大，使得外延結(jié)構(gòu)的性能降低。技術(shù)實現(xiàn)思路、本發(fā)明提供了一種外延...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。