技術(shù)編號：40567057
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及存儲器，特別是涉及一種存儲器的測試方法。背景技術(shù)、靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(static?random?access?memory，sram)主要應(yīng)用于處理器的外圍，作為數(shù)據(jù)緩存空間，特點(diǎn)是速率快；sram的高速特點(diǎn)使得其適用于處理器的主內(nèi)存，廣泛應(yīng)用在工業(yè)電子、儀器儀表和航空航天等領(lǐng)域。、如圖所示，sram器件內(nèi)部是規(guī)律的存儲單元陣列，還有大量的邏輯器件，如，控制電路、敏感放大器和寫入電路等，這些電路都能直接參與存取操作。由于每一個存儲單元可能處于不同的狀態(tài)，而任意一個存儲單元的狀態(tài)...
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