技術(shù)編號(hào)：40569166
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于但不限于電力電子器件狀態(tài)監(jiān)測(cè)，尤其涉及一種基于開通延遲積分器的sic?mosfet結(jié)溫在線監(jiān)測(cè)電路和方法。背景技術(shù)、與si?igbt相比，碳化硅-金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管(sic?mosfet)具有更低的導(dǎo)通電阻、更高的開關(guān)速度、更高的擊穿電場(chǎng)和更高的耐高溫能力，在提高電力電子變換器性能方面有著非常明顯的優(yōu)勢(shì)。電力電子變換器的可靠運(yùn)行由功率器件直接決定，由于功率半導(dǎo)體模塊中材料的熱膨脹系數(shù)不同，溫度的變化會(huì)引起機(jī)械應(yīng)力，反復(fù)的熱循環(huán)最終會(huì)導(dǎo)致芯片焊點(diǎn)出現(xiàn)裂縫和鍵合線脫落等問題，危害電力...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。