技術(shù)編號(hào)：40570470
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本技術(shù)涉及半導(dǎo)體設(shè)備生產(chǎn)，特別是涉及一種磁場(chǎng)升降裝置。背景技術(shù)、在半導(dǎo)體硅單晶發(fā)展過程中，硅單晶的直徑尺寸越來越大，使得投料量的需求急劇增加。加大投料量后，石英堝內(nèi)熔融的硅液中存在劇烈的熱對(duì)流，這些熱對(duì)流不但會(huì)影響晶體氧含量的分布，生成缺陷；而且會(huì)破壞單晶生長(zhǎng)。通過在晶體生長(zhǎng)設(shè)備中引入磁場(chǎng)可以有效的控制熔體的流動(dòng)，改善晶體中雜質(zhì)分布，進(jìn)一步有效控制固液界面形狀和熔體溫度穩(wěn)定性。磁力線在熔融液面的分布情況直接影響到溶液里的對(duì)流情況，為了生產(chǎn)不同品質(zhì)要求的晶體，磁場(chǎng)相對(duì)液面的位置需要調(diào)整適配，因此...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。