技術(shù)編號：40571592
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本公開涉及存儲器，尤其涉及一種存儲器的操作方法、存儲器及存儲器系統(tǒng)。背景技術(shù)、nand閃存是一種非易失性存儲技術(shù)，即斷電后仍能保存數(shù)據(jù)，具有存儲成本低和存儲容量高等優(yōu)點?，F(xiàn)有的nand閃存芯片通常采用遞進步長脈沖編程(incremental?steppulse?programming，ispp)方法進行編程，利用逐步增大的編程電壓對存儲單元進行編程，每一個編程脈沖后都有相對應的驗證脈沖，來檢驗存儲單元閾值電壓是否達到目標值。、隨著存儲器單元中存儲的比特數(shù)增加，編程所需要的時間也在增加。其中，...
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