技術(shù)編號：40571637
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本申請涉及半導(dǎo)體，更具體地，涉及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法、存儲系統(tǒng)。背景技術(shù)、隨著人工智能、大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)、移動通信、移動設(shè)備和云存儲領(lǐng)域的興起和發(fā)展，對諸如三維半導(dǎo)體存儲器件等半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的存儲密度的要求也越來越高。然而隨著半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中堆疊層數(shù)的增加，在進行柵極置換工藝時容易使懸空的電介質(zhì)層彎曲。技術(shù)實現(xiàn)思路、本申請?zhí)岢龅膶嵤┓绞娇山鉀Q或部分解決上述背景技術(shù)部分提出的不足或現(xiàn)有技術(shù)中的其它不足。、本申請?zhí)峁┝艘环N制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法。該方法包括：形成貫穿第一疊層結(jié)構(gòu)的多個虛擬溝道結(jié)...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路，無完整電路圖，適合研究學(xué)習(xí)。