技術(shù)編號：40571774
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本公開的示例涉及一種碳化硅裝置，特別地涉及一種具有柵電極以及安放在碳化硅裝置的柵電極和碳化硅體之間的電絕緣體的碳化硅裝置并且涉及一種用于形成電絕緣體的對應(yīng)方法。背景技術(shù)、在晶體管中，柵電極通常與晶體管的源極區(qū)、主體區(qū)和漂移/漏極區(qū)電絕緣，并且被定位成與主體區(qū)相鄰。源極區(qū)通常連接到源極端子，并且漏極區(qū)通常連接到漏極端子。對于碳化硅裝置，可能期望的是，調(diào)整柵電極和碳化硅體之間的電絕緣體。技術(shù)實現(xiàn)思路、一種用于在碳化硅體上形成界面層的方法可包括：從碳化硅體的表面去除氧化物層以獲得碳化硅表面。碳化硅...
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