技術(shù)編號(hào)：40572939
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于表界面分析領(lǐng)域，特別涉及一種測(cè)量半導(dǎo)體薄膜材料第一電子親和勢(shì)的方法。背景技術(shù)、表界面科學(xué)跨越物質(zhì)、能源和信息等眾多基礎(chǔ)學(xué)科，是催化、超導(dǎo)和芯片等的共性科學(xué)基礎(chǔ)。固體的電學(xué)、光學(xué)和化學(xué)性質(zhì)深受其占據(jù)態(tài)和未占據(jù)態(tài)電子結(jié)構(gòu)的共同影響。在半導(dǎo)體材料中，費(fèi)米能級(jí)兩側(cè)的電子結(jié)構(gòu)對(duì)雜質(zhì)摻雜、能帶調(diào)控以及器件的研發(fā)與應(yīng)用至關(guān)重要，尤其是未占據(jù)態(tài)能級(jí)結(jié)構(gòu)，它直接決定了電荷的轉(zhuǎn)移和輸運(yùn)性能，因此測(cè)定未占據(jù)態(tài)的能級(jí)結(jié)構(gòu)非常重要。、第一電子親和能(ea)，也稱為第一電子親和勢(shì)，描述一個(gè)原子或者分子獲得一個(gè)...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。