技術(shù)編號(hào)：40573465
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，尤其涉及一種外延結(jié)構(gòu)的制備方法。背景技術(shù)、外延結(jié)構(gòu)，例如氮化鎵基光電器件與功率器件，在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域有著重要的應(yīng)用。目前制造氮化鎵基光電器件與功率器件主要采用藍(lán)寶石襯底。、然而，隨著集成度以及功率的提升，藍(lán)寶石襯底導(dǎo)熱性較差的缺點(diǎn)越來越明顯，大大制約了外延結(jié)構(gòu)的進(jìn)一步應(yīng)用。為了解決這一問題，可采用剝離的技術(shù)將襯底剝離。但現(xiàn)有的剝離技術(shù)會(huì)對氮化鎵外延層造成損傷，使得氮化鎵缺陷密度增加，反向漏電增大，使得外延結(jié)構(gòu)的性能降低。技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路、本發(fā)明提供了一種外延結(jié)構(gòu)及其制備方法，...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。