技術(shù)編號：40573564
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本申請涉及存儲，特別涉及一種存儲芯片、存儲芯片操作方法、存儲設(shè)備及電子設(shè)備。背景技術(shù)、相變存儲芯片是一種利用晶相和非晶相之間巨大的電阻差異進(jìn)行工作的非易失性存儲芯片。其中，相變存儲芯片中的存儲單元是由一個(gè)相變存儲器(phase?changememory，pcm)和一個(gè)雙向閾值開關(guān)(ovonic?threshold?switch，ots)組成的單一選通管單一電阻器(one?selector?one?resistor，sr)存儲單元。、考慮到ots對操作脈沖的響應(yīng)速度大于pcm，因此在相關(guān)技...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。
該類技術(shù)無源代碼，用于學(xué)習(xí)原理，如您想要源代碼請勿下載。