技術(shù)編號：40573668
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本公開涉及半導(dǎo)體裝置及其制造方法。背景技術(shù)、已知在具有指狀的源電極、柵電極以及漏電極的場效應(yīng)晶體管(fet：fieldeffect?transistor)中，在電極的延伸方向配置多個具有源電極、柵電極以及漏電極的單位fet(例如專利文獻(xiàn)、專利文獻(xiàn))。、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)、專利文獻(xiàn)、專利文獻(xiàn)：日本特開－號公報、專利文獻(xiàn)：美國專利第號說明書、在專利文獻(xiàn)和專利文獻(xiàn)中，通過在電極的延伸方向上配置多個單位fet，能縮短單位fet中的柵電極的寬度。因此，能...
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