技術(shù)編號(hào)：40574776
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體集成電路制造，具體涉及一種存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)及其制造方法。背景技術(shù)、sonos是硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅的英文首字母縮寫(xiě)，是與閃存聯(lián)系較為緊密的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器。它與主流閃存的區(qū)別在于，通過(guò)使用氮化硅而不是多晶硅，充當(dāng)存儲(chǔ)材料。它的一個(gè)分支是shinos(硅-高電介質(zhì)-氮化物-氧化物-硅)。sonos允許比多晶硅閃存更低的編程電壓和更高的編程-擦除的循環(huán)次數(shù)，是一個(gè)較為活躍的開(kāi)發(fā)研究熱點(diǎn)。、相關(guān)技術(shù)中的sonos存儲(chǔ)單元包括控制柵(cg，control?gate)和選擇柵(sg，...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。
該類(lèi)技術(shù)注重原理思路，無(wú)完整電路圖，適合研究學(xué)習(xí)。