技術編號：40575082
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及集成電路制造，具體地，涉及一種基于開通過程柵極電流信號的igbt缺陷檢測方法及裝置。背景技術、絕緣柵雙極晶體管（insulate-gate?bipolar?transistor，簡稱igbt）器件兼具金屬氧化物半導體場效應管（metal?oxide?semiconductor?field?effect?transistor，簡稱mosfet）器件開關速度快和雙極器件通態(tài)損耗低的優(yōu)點，在新能源換流器、柔性直流輸電設備、動態(tài)無功補償設備等場合獲得了廣泛的應用。igbt是三端器件，包括：柵...
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