技術(shù)編號(hào)：40575827
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本公開涉及存儲(chǔ)器，尤其涉及一種相變存儲(chǔ)器的操作方法、控制電路和相變存儲(chǔ)器。背景技術(shù)、相變存儲(chǔ)器(phase?change?memory，pcm)利用特定相變材料在晶態(tài)和非晶態(tài)之間的導(dǎo)電率或者阻抗差異來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，是一種非易失性存儲(chǔ)器。相變存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元(簡(jiǎn)稱pcm單元)的讀操作和寫操作就是在pcm單元上施加不同寬度和高度的電壓或電流脈沖信號(hào)；對(duì)于寫操作(即復(fù)位操作，reset)，是施加一個(gè)短且強(qiáng)的脈沖信號(hào)使pcm單元中的相變材料溫度升高到熔化溫度以上后，再經(jīng)過快速冷卻從而實(shí)現(xiàn)相變材料多晶態(tài)到...
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