技術編號：40580735
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本技術涉及晶圓清洗，具體涉及一種清洗液輸出裝置。背景技術、cmp(chemical?mechanical?planarization)是一種使用化學腐蝕以及機械力對加工過程中的硅晶圓或其它襯底材料進行平坦化處理并且進行后清洗。故過研磨后cmp清洗制程為成功應用cmp于半導體制程之關鍵技術。、現(xiàn)有技術中的，清洗液輸出結構是通過將清洗液輸出到晶片表面的固定位置，通過晶圓的轉動將清洗液分布到晶圓表面各處，但是晶圓轉動時無法均勻將清洗液分布到晶圓表面，并且無法保證清洗液有效的進入刷子和晶圓之間，從而...
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