技術(shù)編號(hào)：40584060
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體模塊。背景技術(shù)、在由硅構(gòu)成的支承基板上層疊有絕緣層以及半導(dǎo)體層的soi基板上形成了高頻電路的半導(dǎo)體裝置中，存在由于半導(dǎo)體層與支承基板之間的寄生電容而產(chǎn)生高次諧波失真的情況。在下述的專(zhuān)利文獻(xiàn)公開(kāi)了一種在將由soi基板制成的半導(dǎo)體裝置安裝到安裝基板之后，通過(guò)去除由硅構(gòu)成的支承基板來(lái)使寄生電容減少的半導(dǎo)體裝置。在去除了支承基板之后的空間配置樹(shù)脂。、專(zhuān)利文獻(xiàn)：美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)第/號(hào)說(shuō)明書(shū)。、在形成于半導(dǎo)體層的晶體管產(chǎn)生的熱主要經(jīng)由最近的凸塊傳導(dǎo)至安裝基板。...
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