技術(shù)編號：40585476
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本申請涉及半導(dǎo)體，具體涉及一種減少鎢柵極缺陷的方法。背景技術(shù)、隨著器件特征尺寸的縮減，為了實現(xiàn)更好地深寬比填充，采用harp工藝在襯底上形成層間介質(zhì)層。由于實施harp工藝時沒有對材料進行等離子體轟擊導(dǎo)致形成的層間介質(zhì)層的致密性較差，后續(xù)實施的對層間介質(zhì)層的研磨以及偽柵極的去處容易對層間介質(zhì)層造成損傷，從而形成碟形缺陷(dishing)。在偽柵極去除后留下的凹槽內(nèi)填充鎢金屬時，就會在碟形缺陷所在的位置出現(xiàn)鎢殘留(如圖(a)所示)。、鎢柵極缺陷的另一種形式是，在大尺寸柵極器件(例如lc器件)...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。