技術(shù)編號：40585987
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，尤其涉及一種蝕刻金屬結(jié)構(gòu)的方法及具有金屬結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)、現(xiàn)有技術(shù)的金屬刻蝕工藝中，在金屬層上沉積氮氧化硅(sion)，在此基礎(chǔ)上進(jìn)行光刻和蝕刻，在光刻過程中，圖形化的光刻膠層中光刻膠被保留的區(qū)域?qū)?yīng)電路圖形中的功能區(qū)域。圖是現(xiàn)有技術(shù)的形成圖形化光刻膠層的器件結(jié)構(gòu)示意圖，如圖所示，光刻膠被保留的區(qū)域?qū)?yīng)電路圖形中的金屬線，并與第一連接結(jié)構(gòu)相對應(yīng)，由于采用光刻膠層進(jìn)行光刻時存在工藝極限，當(dāng)電路圖形中金屬線之間的間隔尺寸很小時(例如金屬線之間的間隔小于...
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