技術(shù)編號(hào):40591068
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本技術(shù)涉及多晶硅生產(chǎn)設(shè)備,具體涉及一種多晶硅還原爐電極結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)、改良西門(mén)子法是現(xiàn)階段多晶硅的主流生產(chǎn)工藝,還原爐是該工藝的核心生產(chǎn)設(shè)備,還原爐的工作原理是通過(guò)通電高溫硅芯將還原爐加熱至反應(yīng)溫度,三氯氫硅與氫氣的混合氣體在高溫環(huán)境下發(fā)生還原反應(yīng),反應(yīng)產(chǎn)生的硅化學(xué)氣相沉積(chemical?vapordeposition,cvd)到通電高溫硅芯上。、在實(shí)際生產(chǎn)中,還原爐采用高壓?jiǎn)?dòng),硅芯的擊穿電壓一般在v左右,有時(shí)會(huì)高達(dá)v,因此,高壓?jiǎn)?dòng)對(duì)電極與底盤(pán)之間的絕緣性能提出了更...
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